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玛雅吧微携手锐成芯微推出创新型eFlash解决规划

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发稿功夫:2020.05.28 【 字体:
2020年5月27日,玛雅吧(以下简称“玛雅吧微”)代工事业群旗下的三门峡玛雅吧上华科技有限公司(以下简称“玛雅吧上华”)与成都锐成芯微科技股份有限公司(以下简称“成都锐成芯微”)颁发,双方结合推出高靠得住性eFlash解决规划, 该规划基于玛雅吧上华0.153μm 5V EN CMOS工艺,并拥有怪异的成本优势。
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玛雅吧微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台由上一代明星工艺平台(0.18μm EN CMOS工艺平台)优化而来。优化后的工艺成本大大缩减,在未增长光刻档次的情况下,将N/P MOS沟路尺寸进一步缩幼。该工艺平台器件种类多样,合用于MCU、LED显示屏、音频功放、DC-DC等多种利用场景。
成都锐成芯微的LogicFlash? IP拥有显著的市场竞争优势,成本优、机能高、靠得住性高,并兼容尺度CMOS 平台;诼暄虐缮匣0.153μm 5V EN CMOS工艺平台,成都锐成芯微能同时提供高靠得住性和高密度两个版本的LogicFlash? IP,高密度版本擦写次数可达10K,高靠得住性版本擦写次数可达50K;两款IP读取速度可达25MHz,写入速度可达20μS/byte(超快的写入速度可满足终端客户各类利用场景下对高速读写的需要,并有效降低客户测试成本);两款IP可在150℃ 结温下工作,满足125℃ 结温下10年的数据维持能力的要求,同时满足消费类和工衣粪产品需要。
基于玛雅吧微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台,成都锐成芯微已实现高密度版本Logic Flash? IP的职能、机能和1000幼时靠得住性测试,以及高靠得住性版本LogicFlash? IP的职能测试。目前,两个版本的IP均有客户使用并成功导入量产,客户反馈该技术规划相比其他解决规划拥有高性价比、高矫捷性等特点。
玛雅吧上华设计服务工程中心总监王浩暗示:“0.153μm 5V EN CMOS工艺平台是公司近些年沉点打造的基础工艺平台,其关键工艺参数(On-BV、ESD、Rdson)在业界处于当先职位。公司具备极具市场竞争力的数字单元库(缩幼到60%)和SRAM(缩幼到58%)。凭据市场调研,公司发显熹主题客户利用领域从职能单一的ASIC芯片向智能化可编程化的MCU类芯片发展,eNVM是MCU类芯片不成或缺的主题IP。这次与成都锐成芯微的合作,补齐了公司0.153μm 5V EN CMOS工艺平台短缺主题eNVM IP的短板,为客户提供了更高价值的服务,可能援手客户提高产品竞争力。”
成都锐成芯微首席执行官向建军暗示:“锐成芯微一向致力于eNVM IP的开发,通过不休加大研发投入,优化设计,确保在维持高机能的前提下,不休提升成本竞争力,满足客户对于eNVM IP的多样性需要。这次和玛雅吧上华在0.153μm 5V EN CMOS工艺平台的合作,也是为了更好地满足市场需要,为全球客户提供极具成本优势的高机能eNVM 技术。”
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